Код, шифр |
Наименование специальности, направления подготовки, наименование группы научных специальностей |
Перечень научных направлений, в рамках которых ведется научная (научно-исследовательская) деятельность |
Образовательная программа, направленность, профиль, шифр и наименование научной специальности |
Уровень образования |
Название научного направления/научной школы |
Результаты научной (научно-исследовательской) деятельности |
Сведения о научно-исследовательской базе для осуществления научной (научно-исследовательской) деятельности |
|
11.03.04 |
Электроника и наноэлектроника |
11. 03. 04. Электроника и наноэлектроника, |
Электроника и наноэлектроника, Микро- и наноэлектроника, 11.03.04 |
Высшее образование I степени - бакалавриат |
Ежегодная студенческая научно-техническая конференция (СНТК) |
Сборник тезисов |
||
11.04.04 |
Электроника и наноэлектроника |
|
Электроника и наноэлектроника, Микро- и наноэлектроника, 11.04.04 |
Высшее образование II степени - магистратура |
Ежегодная научно-техническая конференция магистрантов (МНТК) |
Сборники материалов конференции: |
ауд. 42; |
|
03.06.01 |
Физика и астрономия (основная профессиональная образовательная программа «Физика полупроводников» |
|
Физика полупроводников, Микро- и наноэлектроника, 1.3.11 |
Высшее образование III степени - аспирантура |
Международный научно-технический форум "Современные технологии в науки и образовании" (СТНО) |
Сборники материалов конференции: |
ауд. 42; РЦЗМ, ауд. 46; ауд. 13Т; ауд. 55; ауд. 57; ауд. 341 |
|
|
|
|
|
|
International Conference "Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications" (FunChaPTA-1) |
Book of abstracts of International Conference "Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications" (FunChaPTA-1) |
ауд. 42; РЦЗМ, ауд. 46; ауд. 13Т; ауд. 55; ауд. 57; ауд. 341 |
К настоящему времени на кафедре МНЭЛ сформировалось несколько основных научных направлений. Некоторые из них имеют богатую историю и славные традиции, другие только начинают свой путь… Большинство работ идет при поддержке грантов Минобразования РФ в области фундаментальных исследований и в рамках научно-исследовательских программ "Интеллектуальная собственность высшей школы" и "Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники". Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы проводятся сотрудниками кафедры МНЭЛ в кооперации с лучшими российскими и мировыми научно-технологическими центрами и объединениями.
Одно из направлений - это научная школа "Влияние глубоких уровней на стабильность и надежность интегральных микросхем", основанная заслуженным деятелем науки и техники РФ, доктором технических наук, профессором Павлом Тимофеевичем ОРЕШКИНЫМ (1920 - 2002) и возглавляемая в настоящий момент доктором физико-математических наук, профессором Татьяной Андреевной ХОЛОМИНОЙ и кандидатом физико-математических наук, доцентом Владимиром Георгиевичем ЛИТВИНОВЫМ.
Необходимость исследований в этой области была вызвана интенсивным развитием микроэлектроники в 1970-х. Требовалось решить проблемы, связанные с повышением надежности приборов и стабильности их работы. На основе глубокого изучения физических процессов в барьерных слоях была разработана новая теория релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ), долговременной релаксации неравновесной проводимости, генерации высокочастотных шумов и др. Под руководством П.Т. Орешкина была разработана методика РСГУ и создан оригинальный резонансный спектрометр. По заказу ряда предприятий и научных центров Москвы и С.-Петербурга были изготовлены и переданы заказчикам уникальные измерительные комплексы.
Значительные успехи были достигнуты в области теоретического и экспериментального изучения релаксационных процессов в электретах и практического применения этих материалов.
Сотрудники кафедры защитили по этой тематике более 20 кандидатских и 1 докторская диссертаций, приоритет разработок научной школы защищен более чем 30 авторскими свидетельствами, опубликовано в общей сложности более 500 научных трудов. П.Т. Орешкин является автором двух монографий.
Сегодня исследования в этой области продолжаются уже на новом качественном уровне. Измерительные комплексы полностью автоматизированы - управление, измерение и обработка данных происходит с помощью ЭВМ. Объектом исследований стали новые перспективные материалы группы AIIIBV и AIIBVI и квантово-размерные гетероструктуры на их основе, открывающие дорогу в завтрашний день микро- и наноэлектроники.
Еще одно из направлений научной работы кафедры – вторая научная школа "Неупорядоченные полупроводники и их применение", возглавляемая Заслуженным деятелем науки РФ, доктором физико-математических наук профессором Сергеем Павловичем ВИХРОВЫМ.
Поиск новых материалов, способных выдерживать радиационное воздействие, имеющих к тому же низкую стоимость и высокую технологичность, привлек внимание инженеров и ученых к неупорядоченным полупроводникам. Сначала это были халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), затем аморфные тетраэдрические (аморфный кремний, германий, углерод и др.). Наиболее значительными результатами этой работы стали: разработка теории инверсии типа проводимости в ХСП; разработка электронной теории шнурования тока; разработка матриц ПЗУ и РПЗУ на ХСП и аморфном кремнии; разработка теоретических основ формирования контактных барьеров в неупорядоченных полупроводниках; разработка методов исследований и создание измерительных стендов для контроля основных электрофизических параметров полупроводниковых структур и др.
По этому направлению сотрудниками кафедры защищено более 20 кандидатских диссертаций и 5 докторских. За время существования данного научного направления получено более 20 авторских свидетельств на изобретения и опубликовано свыше 400 научных работ, а также проведено более 30 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.
Сегодня эти работы продолжаются в тесном сотрудничестве с ведущими научными и производственными центрами, такими как ФТИ им. Иоффе (С.-Петербург); МЭИ, МГУ, МИЭТ (Москва), институт микроэлектроники РАН (Ярославль) и многими другими. Сфера сотрудничества непрерывно расширяется, в том числе и за пределы России и СНГ.
Самое "молодое" направление научных исследований, проводимых на кафедре МНЭЛ, связано с разработкой новых аппаратных и программных средств, а также методики сбора и обработки биосигналов и медицинской информации. Эти исследования проводятся "на стыке" естественных и технических наук, таких как медицина, биология, приборостроение, электроника, вычислительная техника, микро- и нанотехнологии. Развитие этого направления позволяет разрабатывать и производить отечественные приборы и аппараты медицинского назначения, способные по своим потребительским и эксплуатационным свойствам конкурировать с зарубежными аналогами.
Эти исследования направлены на решение важной в сфере разработки биомедицинских систем задачи эффективного использования информационных и компьютерных медико-диагностических средств, особенно для диагностики и предсказания различных заболеваний. Эти работы осуществляются по следующим направлениям:
По этому направлению сотрудниками кафедры защищено 3 кандидатских и 2 докторских диссертации, получено более 15 свидетельств на изобретения и актов регистрации программ, опубликовано свыше 100 научных трудов. Работа в этой области проводится в тесном сотрудничестве с лучшими медицинскими и научными центрами России.
Основателем указанного направления является доктор технических наук, профессор Виктор Николаевич ЛОКТЮХИН (1947-2013 гг.). В последние годы это направление возглавлял доктор технических наук, профессор Анатолий Александрович МИХЕЕВ. В 2015 г. подготовлена и защищена диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук к.т.н, доцентом Мельник Ольгой Владимировной. Диссертация посвящена разработке комплексной диагностики заболеваний сердечно-сосудистой системы.
В 2003 г. на базе кафедры МНЭЛ образован и по настоящее время успешно работает региональный центр зондовой микроскопии (РЦЗМ) коллективного пользования. Центр оснащен самым современным аналитическим оборудованием. Возглавляет это научное подразделение сотрудник кафедры МНЭЛ к.т.н., доц. Николай Владимирович ВИШНЯКОВ. В рамках научно-исследовательских работ, проводимых сотрудниками РЦЗМ, защищаются выпускные работы и дипломные проекты, магистерские, кандидатские и докторские диссертации. Результаты научных исследований сотрудников кафедры и РЦЗМ опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных журналах, защищены патентами, свидетельствами на изобретения и актами регистрации программ.
1. Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Козюхин С.А. Isothermal crystallization of Ge2Sb2Te5 amorphous thin films and estimation of information reliability of PCM cells // Physica Status Solidi A, 2016, с. 1831-1838.
2. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., Трегулов В.В., Таларико О.С. An Investigation of Current-Flow Mechanisms in Thin Rubrene Wafers Prepared by the Vapor Transport Method // Technical Physics Letters, 2016, с. 1107-1109.
3. Вишняков Н.В., Толкач Н.М. Влияние температуры на резонансную частоту кантилевера атомно-силового микроскопа // Интеллектуальный и научный потенциал XXI века. Сборник статей Международной научно - практической конференции, 2016, с. 195-199.
4. Ермачихин А.В., Гудзев В.В., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Литвинов В.Г., Теруков Е.И., Орехов Д.Л., Абрамов А.С., Аболмасов С.Н. Исследование глубоких энергетических уровней в HIT-структуре // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016, с. 211-212.
5. Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Литвинов В.Г. Исследование глубоких уровней в барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 259-263.
6. Моос Е.Н., Рыбин Н.Б., Ротт А.Т, Кудюкин А.И., Степанов В.А. Arc Interaction with Electrodes // 11th International Vaccuum Electron Sources Conference, 2016, с. 41-42.
7. Вишняков Н.В., Толкач Н.М. Метод спиралевидного сканирования для зондовой микроскопии // Интеллектуальный и научный потенциал XXI века. Казань, 2016, с. 199-202.
8. Гудзев В.В., Шилин А.В. Снижение токсичности процесса пробоподготовки биообъектов для исследований в растровом электронном атомно-силовом микроскопе // 4 международная НПК "Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения", 2016.
9. Литвинов В.Г., Кусакин Д.С., Мальченко С.И. Разработка комплекса с использованием АСМ для исследования C-V и I-V характеристик полупроводниковых нанообъектов и наноструктур // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016, с. 121-122.
10. Шилин А.В., Мальченко С.И., Холомина Т.А., Зубков М.В. Применение современных информационных технологий в лабораторных практикумах кафедры Микро-и наноэлектроники РГРТУ // Вторая международная научно-методическая конференция в рамках Международного научного конгресса наука и инженерное образование, 2016, с. 76-78.
11. Зубков М.В., Шилин А.В. Использование метода атомно-абсорбционной спектроскопии для определения тяжелых металлов // 4 международная НПК "Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения", 2016.
12. Мальченко С.И., Семенов А.Р., Холомин А.Ю. Применение современных информационных технологий в виртуальном эксперименте по изучению материалов электронной техники // НИТ-2016, 2016, с. 250-254.
13. Мокина О.М.,Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Мальченко С.И., Маслов А.Д. Автоматизация спектральных исследований с помощью монохроматора МДР-2 ЛОМО // XV Международная конференция NIDaysс, 2016, с. 142-144.
14. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С Измерительный комплекс для локального исследования электрофизических свойств полупроводниковых наноматериалов и наноструктур // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 248-251.
15. Карабанов С.М., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Вихров С.П., Гудзев В.В., Маслов А.Д.,Вишняков Н.В. Investigation of Deep-Level Defects in the Active Layer of Multicrystalline Silicon Solar Cells // 32nd European Photovolta-ic Solar Energy Conference and Exhibition 2016, с. 1029 – 1032.
16. Луняков А.Е., Рыбин Н.Б., Рыбина Н.В. Исследование модельных поверхностей самоорганизующихся наноструктурированных материалов // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 243-247.
17. Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Вихров С.П., Маслов А.Д., Алмазов Д.В., Коньков О.И. Измерение распределения внутреннего электрического поля в барьерных структурах кремниевых солнечных элементов // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016.
18. Гудзев В.В., Вишняков Н.В,, Литвинов В.Г., Кусакин Д.С. Измерительно-аналитический комплекс для диагностики полупроводниковых микро- и наноструктур // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 237-263.
19. Рыбин Н.Б., Моос Е.Н., Зельцер И.А. Ecton Erosion Model of Low-Power Contacts // 11th International Vaccuum Electron Sources Conference, 2016, с. 111-112.
20. Вишняков Н.В., Толкач Н.М. Метод для коррекции траектории перемещения зонда сканирующего зондового микроскопа с учетом влияния термодрейфа // Современные проблемы и перспективные направления инновационного развития науки. Екатеринбург, 2016, с. 185-189.
21. Кусакин Д.С., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Измерительный комплекс для локального исследования электрофизических свойств полупроводниковых структур // XV Международная конференция NIDaysс, 2016, с. 157-159.
22. Воробьев Ю.В.,Толкач Н.М., Козюхин С.А., Вишняков Н.В., Вихров С.П. Влияние висмута на параметры оптической записи в структурах на основе тонких пленок (Ge2Sb2Te5)100-x Bix // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016, с. 136-137.
23. Челебаев С.В., Стародубцева В.А. Разработка подсистемы преобразования для информационно-измерительной системы с использованием датчиков уровня жидких сред // Новые информационные технологии НИТ, 2016, с. 206-207.
24. Литвинов В.Г., Ермачихин А.А., Воробьев Ю.В. Измерительно-аналитический комплекс для исследования температурной зависимости вольт-амперных характеристик материалов и структур электроники // NIDays, 2016, с. 164-166.
25. Вишняков Н.В., Мальченко С.И., Холомина Т.А. Применение современных информационных технологий в РГРТУ в учебном процессе по направлению «Электроника и наноэлектроника» // Вторая международная научно-методическая конференция в рамках Международного научного конгресса наука и инженерное образование, 2016, с. 76-78.
26. Козюхин С.А., Ермачихин А.В., Вихров С.П., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М., Вишняков Н.В. Модель изотермической кристаллизации наноразмерных пленок материалов фазовой памяти // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016, с. 169-171.
27. Маслов А.Д., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. Анализ методов расчета напряжения холостого хода в гомопереходных солнечных элементах // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 227-230.
28. Воробьев Ю.В., Суворов Д.В., Новиков А.А., Маслов А.Д., Вишняков Н.В. Система дистанционного доступа к комплексу нанодиагностического оборудования центров коллективного пользования для решения комплексных научных проблем и повышения качества дистанционного образования // Вторая международная научно-методическая конференция в рамках Международного научного конгресса наука и инженерное образование, 2016, с. 33-35.
29. Алмазов Д.В., Маслов А.Д., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Литвинов В.Г., Вихров С.П. Influence of the localized states on the collection efficiency of fotogenerated charge carries in solar cell based on a-Si:H // 2016 5th Mediterranean Conference on Embedded Computing (MECO), 2016, с. 47-51.
30. Холомина Т.А. Биологические поля и методы диагностики на их основе // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства, 2016, с, 55-64.
31. Рыбина Н.В., Рыбин Н.Б., Алпатов А.В., Вихров С.П. Синтез рельефа самоорганизующихся наноструктурированных материалов // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2016, с. 74-75.
32. Семенов А.Р., Холомина Т.А. Прогнозирование надежности полупроводниковых приборов по параметрам вольт-шумовых характеристик // Современные технологии в науке и образовании, 2016, с. 212-218.
33. Гудзев В.В., Точилин Н.Н., Сальникова Ю.Д Портативный электронный пикфлоуметр // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства,2015, с. 136-140.
34. Холомина Т.А., Жигальский П.Г. Избыточные шумы и глубокие уровни в детекторах ядерных частиц и ионизирующего излучения на основе GаAs // Радиотехника и электроника, 2015, с. 553-581.
35. Мишустин В.Г., Орешин А.И. Разработка комплекса для исследования фотолюминесценции в полупроводниковых материалах и структурах . // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства Межвузовский сборник научных трудов, 2015, с. 109-113.
36. Гудзев В.В., Мукаилова Э.Г. Устройство для капилляроскопии // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства, 2015, с. 140-143.
37. Рыбин Н.Б., Воробьев Ю.В.,Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С. Анализ электрических свойств точечного барьерного контакта металл-полупроводник // VIII всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Диагностика наноматериалов и наноструктур", 2015, с. 16-21.
38. Мишустин В.Г., Чернышов С.В. Моделирование переходных процессов в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства Межвузовский сборник научных трудов, 2015, с. 116-123.
39. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Кусакин Д.С., Зубков М.В. Способ определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах с неоднородным легированием базы // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2015, с. 163-168.
40. Мишустин В.Г., Ястребков А.Б., Зенина Е.В. Разработка конструкции установки для фотодинамической терапии раковых клеток // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства, 2015, с. 23-30.
41. Воробьев Ю.В., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Рыбин Н.Б. Исследование влияния висмута на шумовые свойства микроструктур на основе соединения (Ge2Sb2Te5)1-xBix // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2015.
42. Литвинов В.Г., Корнилович А.А Определение фактора заполнения уровней ландау и новая интерпретация дробного квантового эффекта холла в двумерных наноструктурах // Вестник РГРТУ, 2015, с. 122-126.
43. Рыбина Н.В., Алпатов А.В., Вихров С.П., Мурсалов С.М. Исследование структурной сложности профиля поверхности материалов с применением метода 2D флуктуационного анализа с исключенным трендом // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2015, с. 12-20.
44. Алпатов А.В., Ашапкина М.С. Разработка устройства для поддержки реабилитации опорно-двигательного аппарата // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства, 2015, с. 70-75.
45. Гудзев В.В., Маслов А.Д., Трегулов В.В., Тюнин С.Г. Исследование свойств пористого кремния // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 189-194.
46. Холомина Т.А. Применение нанотехнологий в диагностике и терапии онкологических заболеваний // VIII всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «диагностика наноматериалов и наноструктур», 2015, с. 120-130.
47. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Чиж К.В., Миронов С.А Шумы диодных структур на основе PtSi/poly-Si // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 192-202.
48. Рыбин Н.Б., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Пермяков Н.В. Исследование деградационных процессов в тонкопленочной МДМ- структуре на основе Al2O3 методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа // III научно-техническая конференция с международным участием «наука настоящего и будущего» для студентов, аспирантов и молодых ученых, 2015, с. 209-211.
49. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Room-temperature tunable properties of strontium titanate nanostructured films // International Conference nanomeeting, 2015, с. 362-364.
50. Литвинов В.Г., Кусакин Д.С Локальное измерение электрической емкости точечного барьерного контакта металл-полупроводник с помощью атомно-силовой микроскопии // 8-ая молодежная научная школа по твердотельной электронике «микро- и нанотехника нового поколения», 2015, с. 64-66.
51. Холомина Т.А. The charge relaxation in semiconductors and elements of microelectronics // 5th International Conference “Telecommunications, Electronics and Informatics” ICTEI 2015, 2015.
52. Литвинов В.Г., Зубков М.В., Маслов А.Д., Гудзев В.В. The ionization energy determination of deep level defects in inhomogeneous doped semiconductor barrier structures // 5th International Conference “Telecommunications, Electronics and Informatics” ICTEI 2015, 2015.
53. Ермачихин А.В., Садофьев Ю.Г., Литвинов В.Г. Шумовая спектроскопия структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе InAs/InGaAs/GaAs // XIX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", 2015, с. 499-500.
54. Холомина Т.А. Нанотехнологические методы в онкологии // IX международная научно-практическая конференция "Научные перспективы XIX века. Достижения и перспективы нового столетия", 2015, с. 33-36.
55. Рыбин Н.Б., Вихров С.П., Рыбина Н.В. Исследование процессов самоорганизации в неупорядоченных и тонкопленочных структурах // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 93-109.
56. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г Автоматизированный аппаратно-программный комплекс для исследования электрофизических параметров полупроводниковых структур // III научно-техническая конференция с международным участием "Наука настоящего будущего" для студентов, аспирантов и молодых ученых, 2015.
57. Челебаев С.В., Челебаева Ю.А. Декомпозиция нейросетевых структур преобразователей частоты в код двух переменных // III научно-техническая конференция с международным участием "Наука настоящего и будущего" для студентов, аспирантов и молодых ученых, 2015, с. 26-32.
58. Вихров С.П., Рыбина Н.В., Рыбин Н.Б. Методы исследования процессов самоорганизации в структуре твердых тел // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 110-119.
59. Челебаев С.В., Челебаева Ю.А. Структура преобразователя частоты в код двух переменных на основе радиально-базисной сети // Новые информационные технологии в научных исследованиях: XX Всероссийская научно-техническая конференция, 2015, с. 169-171.
60. Мальченко С.И.,Зубков М.В., Шилин А.В. Разработка макета виртуального прибора экологического мониторинга для измерения влажности почвы и смесей в среде инженерного программирования LabVIEW // IV Всероссийская научно-методическая конференция "Методы обучения и организация учебного процесса в вузе, 2015.
61. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Мальченко С.И., Холомина Т.А. Холомин А.Ю. Цикл лабораторных работ по теоретическому изучению свойств металлов и сплавов на основе виртуальных лабораторий // Инженерные и научные приложения на базе технологий NI NIDays, 2015, с. 209-211.
62. Рыбин Н.Б., Алпатов А.В., Вихров С.П., Рыбина Н.В. Корреляционные параметры рельефа поверхности пленок nc-Si/a-Si:H с различной долей кристаллической фазы в них // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 59-61.
63. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Инженерные и научные приложения на базе технологий NI NIDays, 2015, с. 215-217.
64. Вихров С.П.,Рыбина Н.В., Вишняков Н.В.,Рыбин Н.Б., Алпатов А.В., Мурсалов С.М. Комплексный подход к исследованию процессов самоорганизации наноматериалов и наноструктур // III научно-техническая конференция с международным участием «наука настоящего и будущего» для студентов, аспирантов и молодых ученых, 2015, с. 157-159.
65. Рыбин Н.Б.,Воробьев Ю.В., Толкач Н.М., Маслов А.Д. Компенсация дрейфа зонда атомно-силового микроскопа // Диагностика материалов и наноструктур, 2015, с. 207-210.
66. Маслов А.Д., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М. Применение метода комбинационного рассеяния света для исследования фазовых переходов в пленках структуры Ge-Sb-Te // III научно-техническая конференция с международным участием "Наука настоящего и будущего" для студентов, аспирантов и молодых ученых, 2015, с. 236-238.
67. Литвинов В.Г., Кусакин Д.С. Моделирование вольт-фарадной характеристики точечного барьерного контакта металл-полупроводник // Математические методы в технике и технологиях ММТТ, 2015, с. 106-109.
68. Мальченко С.И., Вихров С.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г Разработка макета измерительного комплекса для исследования переходных процессов в полупроводниковых барьерных наноструктурах // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 40-50.
69. Литвинов В.Г., Корнилович А.А. Новая интерпретация дробного квантового эффекта холла в двумерных наноструктурах // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 83-92.
70. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Трегулов В.В. Исследования механизмов транспорта носителей заряда в полупроводниковой структуре, содержащей n+-p-переход с пленкой пористого кремния на поверхности n+-области // Диагностика наноматериалов и наноструктур, 2015, с. 176-179.
71. Вишняков Н.В. Анкудинов А.В., Минтаиров А.М. и др. Scanning Near-Field Optical Microscopy of Light Emitting Semiconductor Nanostructures // Ferroelectrics, 2015, 12 с.
72. Алпатов А.В., Кирюхин А.В. Проектирование автоматизированной системы для оценки аффективных состояний человека на основе измерения пульса при просмотре видеоизображений // Программная инженерия, 2015, с, 34-40.
73. Алпатов А.В., Вихров С.П., Рыбина Н.В. Study of the correlation parameters of the surface structure of disordered semiconductors by the two-dimensional DFA and average mutual information methods // Semiconductors, 2015, с. 456-460.
74. Вишняков Н.В.., Маслов А.Д. Исследование влияния технологических режимов на характеристики пленок неупорядоченных полупроводниковых материалов и барьерных структур на их основе // Физика полупроводников. микроэлектроника. радиоэлектронные устройства, 2015, с. 100-105.
75. Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В и др. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе HF с добавкой KMnO4 // Нано- и микросистемная техника, 2014, с. 16-19.
76. Зубков М.В., Черепанов Д.А. Разработка платы контроля мощности и температуры лазерного излучения в гибридном исполнении // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства, 2014, с. 8-12.
77. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Автоматизированный комплекс спектроскопии низкочастотного шума // Инженерные приложения на базе технологий National Instruments-2014, 2014.
78. Вишняков Н.В., Алпатов А.В., Вихров С.П., Рыбина Н.В. Диагностика процессов самоорганизации в наноматериалах и наноструктурах методами 2D DFA и СВИ // Рязанский Государственный Радиотехнический Университет, 2014, с.16-45.
79. Вишняков Н.В., Мишустин В. Г., Литвинов В.Г., Авачев А.П. Методы диагностики локальных электрофизических характеристик микро- и наноструктур на основе неупорядоченных полупроводников // Рязанский Государственный Радиотехнический Университет, 2014, с. 40-46.
80. Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Литвинов В.Г., Авачев А.П. Методы диагностики МДП И p-i-n-структур с активными слоями на основе неупорядоченных полупроводников // Рязанский Государственный Радиотехнический Университет, 2014, с. 61-71.
81. Литвинов В.Г. Ермачихин А.В. Особенности применения спектроскопии низкочастотного шума для диагностики полупроводниковых диодных структур с квантовой ямой // Рязанский Государственный Радиотехнический Университет, 2014, с, 37-50.
82. Ермачихин А.В., Кусакин Д.С., Корнилович А.А., Литвинов В.Г. Установка для определения параметров полупроводниковых структур по магнитным квантовым эффектам и спектроскопии адмиттанса // Приборы и техника эксперимента, 2014, с. 111-119.
83. Вихров С.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В.,Мишустин В.Г., Коньков О.И. Исследование контактных свойств систем Me/a-Si:H // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 71-72.
84. Литвинов В.Г., Кусакин Д.С., Литвинова В.С. Обоснование методики определения концентрации свободных носителей заряда в локальных областях полупроводниковых наноструктур по C-V характеристикам // VII всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «диагностика наноматериалов и наноструктур», 2014, с. 32-38.
85. Рыбина Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Вихров С.П Исследование поверхности пленок пористого кремния методом флуктуационного анализа // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 132-133.
86. Кусакин Д.С., Рыбин Н.Б., Литвинов В.Г. Разработка методики локального измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами с использованием техники атомно-силовой микроскопии // Инновации в науке, производстве и образовании, 2014, с. 30-33.
87. Рыбин Н.Б., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М. Повышение точности методов атомно-силовой микроскопии // VII всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «диагностика наноматериалов и наноструктур» , 2014, с. 39-42.
88. Воробьев Ю.В., Литвинов В.Г, Кусакин Д.С., Рыбин Н.Б., Литвинова В.С. Методика локального измерения электрической емкости фемтофарадного диапазона точечного барьерного контакта металл-полупроводник // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета, 2014.
89. Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Литвинов В.Г., Алмазов Д.В., Вихров С.П., Гудзев В.В. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semiconductors by using the transient photocurrent compensation method // Journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2014, с. 1-5.
90. Авачев А.П., Вишняков Н.В., Толкач Н.М., Мальцев М.В. Исследование халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства, 2014, с. 89-98.
91. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., LabVIEW в современной индустрии измерений (обзор) // Информационные технологии, 2014, с. 23-29.
92. Ермачихин А.В., Рыбин Н.Б., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Литвинов В.Г. Complex method diagnostics of diode-like quantum well heterostructures with use of low frequency noise // Journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2014.
93. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С., Корнилович А.А. Магнитный квантовый эффект и спектроскопия адмиттанса полупроводниковых микро- и наноструктур // Инновации в науке, производстве и образовании, 2014, с. 50-53.
94. Авачева Т.Г., Авачев А.П. Информационный анализ АСМ-изображений неупорядоченных полупроводниковых материалов для выявления признаков самоорганизации их структуры // VII всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 2014, с. 161-163.
95. Челебаева Ю.А., Челебаев С.В. Neuronetwork converters of time-and-frequency biosignals parameters in the code of two variables // X Russian-German conference on biomedical engineering, 2014, с. 92-94.
96. Алпатов А.В., Кирюхин А.В. Особенности использования нагрудного Bluetooth-датчика пульса Polar в среде LabView // Инженерные приложения на базе технологий National Instruments-2014, 2014.
97. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Исследование энергетического спектра электронных состояний носителей заряда в полупроводниковых диодных наноструктурах // Инновации в науке, производстве и образовании, 2014, с. 42-46.
98. Толкач Н.М., Авачев А.П., Вишняков Н.В.,Вихров С.П., Анкудинов А.В., Мальцев М.В.И Исследование различных фазовых состояний пленки Ge2Sb2Te5 в области воздействия лазерного луча // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 255-256.
99. Челебаев С.В., Челебаева Ю.А. Two variables time-and-frequency signal parameters in a digital code neural network converters synthesis procedure on the perceptrons basis // 3rd Mediterranean conference on embedded computing, 2014, с. 140-143.
100.Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Трегулов В.В. Исследование адмиттансных характеристик полупроводниковой гетероструктуры n-CdS/p-Si, предназначенной для создания солнечного элемента // Инновации в науке, производстве и образовании, 2014, с. 47-50.
101.Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Трегулов В.В. Исследование морфологии поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролитах различного состава // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 138-139.
102.Рыбин Н.Б., Трегулов В.В., Скопцова Г.Н. Физико-химические особенности формирования пленки Ag на поверхности Si в электролите, содержащем HF // Инновации в науке, производстве и образовании, 2014, с. 37-42.
103.Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Вишняков Н.В Алгоритм нахождения оптимального числа усреднений для уменьшения погрешности при измерении спектров НЧ шума в полупроводниковых структурах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 311-312.
104.Ермачихин А.В., Козюхин С.А., Литвинов В.Г., Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Громов Д.Г., Редичев Е.Н. Особенности влияния модифицирующей примеси висмута на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 265-266.
105.Михеев А.А., Челебаева Ю.А. Разработка устройства преобразования и обработки сигналов кардиоритмограммы на основе искусственной нейронной сети на ПЛИС // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства, 2014, с. 1-8.
106.Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Разработка методики исследования электрофизических характеристик полупроводниковых структур с квантовыми ямами с использованием спектроскопии НЧ шума // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 313-314.
107.Воробьев Ю.В., Вишняков Н.В., Мальченко С.И., Вихров С.П., Балаганский С.С. Метод измерения удельного сопротивления тонких пленок неупорядоченных полупроводников с помощью проводящей атомно-силовой микроскопии // Аморфные и микрокристаллические полупроводники, 2014, с. 307-308.
108.Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Рыбин Н.Б., Холомина Т.А., Кострюков С.А. A measuring System for the Spectroscopy of the Low-Frequency Noise of Semiconductor Diode Structures // Measurement Techniques, 2013, с. 1066-1071.А
109.Алпатов А.В., Ашапкина М.С. Мониторинг двигательной активности человека с помощью разрабатываемого устройства // Международный научно-исследовательский журнал, 2013, с. 7-8.
110.Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Лазаренко П.И., Козюхин С.А., Шерченков А.А., Нгуен Х.Ф., Редичев Е.Н. Электрофизические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированных Bi // Вестник рязанского государственного радиотехнического университета, 2013, с. 83-87.
111.Алпатов А.В., Ашапкина М.С. Разработка устройства контроля двигательной активности человека . // Международный научно-исследовательский журнал, 2013, с. 90-91.
112.Алпатов А.В., Вихров С.П., Рыбина Н.В. Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок a-SI:H методом двумерного флуктуационного анализа // Физика и техника полупроводников, 2013, с. 365-371.
113.Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б., Садофьев Ю.Г., Козловский В.И. Local study of the energy spectrum of electrons in cdse/znse qd structure by current dlts cooperated with afm // Physica status solidi (c) current topics in solid state physics, 2012, с. 1772-1775.
114.Авачев А.П., Вихров С.П., Рыбина Н.В., Авачева Т.Г., Бодягин Н.В. Determination of the degree of ordering of materials' structure by calculating the information-correlation characteristics // Semiconductors, 2012.
115.Алпатов А.В., Стротов В.В. Методы распознавания артефактов зонда на изображениях атомно-силовой микроскопии // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2012, с. 33-39.
116.Мишустин В.Г., Мальченко С.И., Авачев А.П., Алмазов Д.В. Модифицированный времяпролетный метод:перспективы развития // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2012, с. 39-43.
117.Рыбин Н.Б., Литвинов В.Г., Милованова О.А. Определение концентрации носителей заряда в слаболегированных квантово-размерных структурах с зонной диаграммой второго типа // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2011, с. 85-91.
118.Рыбина Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б. Исследование диодных структур на основе si и a-si:h методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в режимах эмиссии и захвата // Рязанский Государственный Радиотехнический Университет, 2011, с. 72-80.
119.Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б., Козловский В.И., Санников Д., Свиридов Д., Милованова О.А. Local measurement of conduction band offset for Zncds/Znsse nano-structure by laplace current dlts cooperated with afm technique // Physica Status Solidi (C), 2010.
120.Рыбин Н.Б., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Милованова О.А. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники // Датчики и системы, 2009, с. 71-79.
121.Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Алмазов Д.В., Гудзев В.В. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников // Вестник Рязанского Государственного Радиотехнического Университета, 2009, с. 46 -52.