к.ф.-м.н., доцент

Основные научные интересы: исследование электрофизических свойств полупроводниковых барьерных структур, физическое материаловедение, микросхемотехника.

Проводит лекционные, практические и лабораторные занятия по дисциплинам:

• Схемотехника микроэлектронных устройств.
• Современные информационные технологии  в микро- и наносистемной технике.
• Микросхемотехника.
• Проектирование сложнофункциональных блоков.
• Функциональные узлы электронных устройств.

Повышение квалификации:

• «Использование цифровых сервисов и онлайн-курсов в профессиональном образовании», 36 часов, РГРТУ, с 23.03.2020 по 12.04.2020 г., удостоверение №0252221 
• «Основы организации информационной безопасности и защиты информации в условиях цифровизации высшего образования», 72 часа, (ПензГТУ) ФГБОУ "Пензенский государственный технологический университет", с 01.12.2022 по 20.12.2022 г., удостоверение №582417002236 от 20.12.2022

Стаж работы по специальности с 1986 г.

Наиболее значимые публикации:

1. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В., Клочков А.Я. Глубокие уровни в диодах шоттки на основе силицида платины. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2008. № 25. С. 76-80.
2. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники. Датчики и системы. 2009. № 9. С. 71-78.
3. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур
4. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 30. С. 62-70.
5. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 4. С. 46.
6. Холомина Т.А., Зубков М.В., Кострюков С.А., Гудзев В.В. Активационно-дрейфовая модель П.Т. Орешкина - основа изучения параметров глубоких центров в барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 34-39.
7. Авачёв А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 46-52.
8. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниковых барьерных структурах и устройство для его осуществления. Патент на изобретение RUS 2431216 15.06.2010
9. Гудзев В.В., Зубков М.В., Юлкин А.В. Программно-аналитическая база данных релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 36. С. 75.
10. Гришанкина Н.В., Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Рыбин Н.Б. Исследование диодных структур на основе Si и a-Si:H методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в режимах эмиссии и захвата. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 37. С. 72-80.
11. Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Особенности определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов в полупроводниковых барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2012. № 40. С. 75-79.
12. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного университета им. С.А. Есенина. 2012. № 34. С. 157-166.
13. Авачев А.П., Авачева Т.Г., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Мальцев М.В., Рыбин Н.Б. Исследование состава и толщины пленок Ge–Sb–Te с помощью рентгеновского анализа и атомно-силовой микроскопии. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2013. № 4-3 (46). С. 79-82.
14. Панютина Ю.А., Гудзев В.В. Исследование поверхности   пленок пористого кремния сформированных методом анодного электрохимического травления. Диагностика наноматериалов и наноструктур Труды VII всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению. 2014. С. 197-198.
15. Трегулов В.В., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе HF с добавкой KMNO 4. Нано- и микросистемная техника. 2014. № 11. С. 16-19.
16. Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Mishustin V.G., Karabanov S.M., Vikhrov S.P., Karabanov A.S. Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells. Proceedings of the IEEE International Conference on Industrial Technology Сер. "2015 IEEE International Conference on Industrial Technology, ICIT 2015" 2015. С. 1071-1074.
17. Гудзев В.В., Шилин А.В. Снижение токсичности процесса пробоподготовки биообъектов для исследований в растровом электронном микроскопе атомно-силовом. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 37-38.
18. Шилин А.В., Гудзев В.В. Идентификация и исследование высокодисперсной пыли в производственных помещениях. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 60-62.
19. Гудзев В.В., Зубков М.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах с неоднородным легированием базы. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2015. № 52. С. 163-168.
20. Vishnyakov N.V., Vikhrov S.P., Mishustin V.G., Almazov D.V., Litvinov V.G., Gudzev V.V. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semiconductors. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2015. Т. 9. № 6. С. 773-777.
21. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование глубоких уровней в барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 259-263.
22. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Кусакин Д.С. Измерительно-аналитический комплекс для диагностики полупроводниковых микро- и наноструктур. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 263-267.
23. Литвинов В.Г., Шубаркин В.О., Гудзев В.В. Измерительно-аналитический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур для фотоэлектрических преобразователей. Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2017 сборник трудов II Международной научно-технической и научно-методической конференции: в 8 т.. Рязанский государственный радиотехнический университет. 2017. С. 174-177.
24. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния // Радиотехника. 2017. № 5. С. 186-192.
25. Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Толкач Н.М., Холомина Т.А. Развитие методов исследования полупроводниковых материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2017. № 60. С. 164-170.
26. Maslov A.D., Ermachikhin A.V., Bezuglaya E.V., Mishustin V.G., Vorobyov Y.V., Gudzev V.V. Spatial localization of dominating deep centers in multicrystalline silicon solar cells // 2018 7th Mediterranean Conference on Embedded Computing, MECO 2018 - Including ECYPS 2018, Proceedings. 7. 2018. С. 1-4.
27. Kholomina T.A., Maslov A.D., Gudzev V.V., Vishnyakov N.V. Laboratory complexes to study properties of materials and structures of solid state electronics // 12th International Conference ELEKTRO 2018, 2018 ELEKTRO Conference Proceedings. 12. 2018. С. 1-5.
28. Гудзев В.В., Краснов К.Н. Установка емкостной спектроскопии глубоких уровней // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2018. Сборник трудов международного научно-технического форума: в 11 томах. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2018. С. 118-123.
29. Тюшин А.С., Гудзев В.В. Исследование энергетического спектра глубоких уровней в барьерных структурах Al/N-Si // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2018. Сборник трудов международного научно-технического форума: в 11 томах. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2018. С. 163-166.
30. Тюшин А.С., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В. Исследование биологических объектов с применением атомно-силовой микроскопии // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Диагностика наноматериалов и наноструктур". Сборник трудов. 2018. С. 123-127.
31. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Жилина Д.В., Литвинов В.Г., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Теруков Е.И., Титов А.С. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 7. С. 787-791.
32. Шувалов М.Ю., Гудзев В.В., Вишняков Н.В. Методика идентификации механизмов переноса носителей заряда в структуре Me-a-Si:H // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2019. Сборник трудов II международного научно-технического форума: в 10 т. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2019. С. 110-113.
33. Тюшин А.С., Гудзев В.В., Литвинов В.Г. Анализ влияния глубоких уровней на основные параметры биполярных транзисторов // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2019. Сборник трудов II международного научно-технического форума: в 10 т.. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2019. С. 113-116.
34. Баскаков Н.А., Васин А.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г. Методика частотной спектроскопии глубоких уровней для полупроводниковых барьерных структур // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2020. Сборник трудов III Международного научно-технического форума : в 10 т.. Рязань, 2020. С. 112-117.
35. Мантья М.Ф., Литвинов В.Г., Гудзев В.В. Источник красного излучения на базе наноструктуры с массивом квантовых точек // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2020. Сборник трудов III Международного научно-технического форума : в 10 т.. Рязань, 2020. С. 81-86.
36. Gudzev V.V., Litvinov V.G., Mishustin V.G., Maslov A.D., Zubkov M.V. Experimental equipment to investigate deep energy levels in semiconductor barrier structures with high leakage current // 13th International Conference ELEKTRO 2020, ELEKTRO 2020 - Proceedings. 13. 2020. С. 9130257.
37. Maslov A.D., Litvinov V.G., Ermachikhin A.V., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Vikhrov S.P. Investigation of recombination centers in the active layers of HIT solar cells // 13th International Conference ELEKTRO 2020, ELEKTRO 2020 - Proceedings. 13. 2020. С. 9130315.
38. Мантья М.Ф., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Комплексное исследование электрофизических свойств барьерных структур на основе a-Si:H // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 103-110.