РГРТУ принял участие в VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
7882
С 2 по 5 июля 2012 года сотрудники, аспиранты и
студенты кафедры Биомедицинской и полупроводниковой электроники и Регионального
центра зондовой микроскопии коллективного пользования Рязанского
государственного радиотехнического университета проф. Вихров С.П., доц.
Вишняков Н.В., доц. Литвинов В.Г., в.н.с. Миловзоров Д.Е., с.н.с. Кострюков
С.А., асп. Гришанкина Н.В. и студ. Ахтырченко А.А. приняли участие в работе
VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические
полупроводники", прошедшей в г. Санкт-Петербурге.
Проф. Вихров
С.П.
Проф. Вихров С.П. принимал участие в подготовке и
проведении конференции в составе оргкомитета. На заседании конференции
заслушано три устных доклада:
1. А.П. Авачев, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин Контактные явления в барьерных структурах металл - неупорядоченный полупроводник;
2. D.E. Milovzorov Low-temperature preparation of nanocrystalline silicon films;
3. А.В. Алпатов, Т.Г. Авачева, С.П. Вихров, Н.В. Гришанкина, О.И. Коньков Применение метода 2D DFA для выявления корреляций поверхностного интерфейса пленок a-Si:H
и представлено восемь стендовых докладов:
1. Д.В. Алмазов, С.С. Балаганский, Ю.В. Воробьев, В.Г. Мишустин Вольтамперные характеристики барьерных структур Ti-a-Si:H-Ti;
2. А.В. Алпатов, Т.Г. Авачева, С.П. Вихров, Н.В. Гришанкина, О.И. Коньков Применение метода 2D DFA для выявления корреляций поверхностного интерфейса пленок a-Si:H;
3. В.Г. Литвинов, Н.Б. Рыбин Локальное исследование энергетических уровней в полупроводниковых наноструктурах методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней;
4. Dmitry E. Milovzorov Photoconductivity and carrier recombination in crystalline silicon films deposited on glass substrate;
5. А.П. Авачёв, Д.В. Алмазов, С.И. Мальченко, В.Г. Мишустин Возможности использования модифицированного времяпролетного метода совместно с техникой атомно-силовой микроскопии для исследования наноразмерных полупроводниковых структур;
6. А.В. Ермачихин, С.А. Кострюков, В.Г. Литвинов, Н.Б. Рыбин Исследование низкочастотного шума в диоде Шоттки с квантовой ямой на основе Au/GaAs/InGaAs/GaAs;
7. А.В. Ермачихин, В.Г. Литвинов, О.А. Милованова, Н.Б. Рыбин Исследование наноструктуры CdSe/ZnSe с квантовыми точками методом локальной токовой DLTS;
8. А.П. Авачев, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, К.В. Митрофанов Методика определения мощности оптического излучения, приводящего к фазовым переходам в структурах на основе халькогенидного соединения Ge2Sb2Te5.
Доц. Вишняков Н.В.
Асп.
Гришанкина Н.В.
При подведении итогов конференции был отмечен
существенный вклад научных исследований, проводимых в РГРТУ в области фазовой
памяти, контактных явлений, получения и разработки новых методов исследования
наноструктурированных материалов и устройств на их основе. Особенно хочется
отметить постоянное участие в работе конференции молодых ученых, аспирантов и
студентов РГРТУ.
В решении проведенной конференции МНТК AMS-8 отмечена целесообразность продолжения данных работ в РГРТУ.
В решении проведенной конференции МНТК AMS-8 отмечена целесообразность продолжения данных работ в РГРТУ.
Участники
МНТК AMS-8
Обновлено 18 июля 2012 г.Ответственный за размещение:
Кафедра МНЭЛ
Кафедра МНЭЛ