Учебная лаборатория, учебная площадка, а. 341

Персональный компьютер (5 шт.)

ЦП: AMD Ryzen 3 3200G with Radeon Vega Graphics,
ОЗУ: 8 Гб,
ПЗУ: 1150 Гб,
ПО: LabVIEW.

Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники»,«Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования свойств магнитных материалов

Полоса пропускания: 0 МГц — 50 МГц;
Время нарастания ПХ: не более 9 нс;
Средний радиус образца: 1,9×10^-2 м;
Плотность материала образца: 8,9×10³ кг/м³;
Число витков первичной обмотки: 1200;
Число витков вторичной обмотки: 800;
Площадь сечения: 0,42×10^-4 м².

Позволяет исследовать зависимости магнитной проницаемости от температуры, напряженности и частоты магнитного поля, а также зависимости мощности потерь на вихревые токи и гистерезис от частоты. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования свойств сегнетоэлектрических материалов

Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц;
Емкость образца: 10^-6 Ф;
Диаметр образца: 1, 75 см;
Высота образца: 0,06 см.

Позволяет производить измерение эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения явлений поляризации и диэлектрических потерь

Диапазон частот генератора прибора от 50 кГц до 35 МГц разбит на 8 поддиапазонов:
1. 50 — 130 кГц; 2. 130 – 350 кГц; 3. 350 – 950 кГц; 4. 0,95 – 2,6 Мгц; 5. 2,6 – 6,0 Мгц; 6. 6,0 – 14 Мгц; 7. 14 — 22 МГц; 8. 22 – 35 Мгц;
Перекрытие по частоте поддиапазона генератора: не менее 2 %;
Погрешность градуировки генератора по частоте в оцифрованных точках не превышает ± 1 %;
Диапазон непосредственного отсчета добротности от 5 до 600 единиц перекрывается тремя шкалами: 60, 200, 600.

Позволяет проводить измерение относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь электроизолирующих материалов. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения термоэлектрических явлений в твердых телах

Диапазон изменения температуры: 20 – 200 ⁰С;
Диапазон измерений напряжения: от 0 до 200 В;
Время установления рабочего режима: не более 30 мин.

Позволяет получить температурную зависимости термо-ЭДС в полупроводниках. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования диода Шоттки методом вольт-фарадных характеристик

Диапазоны измеряемых величин:
1. Напряжение постоянного тока: 10^-4 В — 1000 В;
2. Напряжение переменного тока:
в диапазоне частот от 20 Гц до 20 кГц: 10^-4 В — 300 В;
в диапазоне частот от 20 Гц до 1 кГц, без внешнего делителя 1:1000: 10^-4 В — 600 В;
в диапазоне частот от 20 Гц до 1 кГц с внешним делителем 1:1000: 300 В — 1000 В;
в диапазоне частот от 20 кГц до 100 МГц с высокочастотным преобразователем: 0,1 В — 1,2 В;
в диапазоне частот от 20 кГц до 30 МГц с высокочастотным преобразователем: 0,1 В — 12 В.

Позволяет произвести изучение свойств барьерной емкости, а также методов измерение и анализа вольт-фарадных характеристик структуры металл-полупроводник. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения механизма переноса носителей заряда в полупроводниковых диодах

Максимальное напряжение между измерительным входом и землей: 1000 В для постоянного или переменного тока;
Диапазоны измерений:
1. Постоянное напряжение: 50 мВ (погрешность - ±(0,03 % +10), 500 мВ/ 5 В/ 50 В/ 500 В/ 1000 В погрешность - ±(0,03 % +6);
2. Переменное напряжение: 50 мВ (погрешность - ±(0,03 % +10), 500 мВ/ 5 В/ 50 В/ 500 В/ 1000 В погрешность - ±(0,03 % +6).

Позволяет проводить исследование вольт-амперных характеристик (ВАХ) диода при прямом и обратном смещениях, исследование влияния температуры на ВАХ. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования эффекта Холла в полупроводниковых материалах

Ток в образце: не более 1,5 мА;
Сопротивление образца: 7,5 Ом;
Ширина образца: 4,7 мм;
Толщина образца: 4,7 мм;
Для точного измерения тока используется потенциометр ППТВ-1.

Позволяет проводить изучение эффекта Холла в полупроводниковых материалах на основании экспериментальных измерений ЭДС Холла и определения концентрации основных носителей заряда и холловской подвижности. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения влияния освещенности и температуры на электропроводность полупроводников

Диапазон изменения температуры: от 20 до 100 ⁰С;
Напряжение, подаваемое на осветительную лампу: от 0 до 220 В.

Позволяет проводить измерение зависимости электропроводности полупроводников от освещенности и температуры. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования характеристик пьезоэлемента

Характеристики милливольтметра:
Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц.
Характеристики генератора сигналов:
Диапазон частот: от 20 Гц до 20000 Гц;
Погрешность генератора по частоте: ± (0,02F+1) Гц;
Номинальная выходная мощность: 0,5 Вт;
Максимальная выходная мощность: 5 Вт.

Позволяет произвести ознакомление со свойствами пьезоэлемента на основе сегнетоэлектрика. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных неравновесных носителей заряда в полупроводниках

Характеристики милливольтметра:
Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц;
Характеристики осциллографа:
Вертикальное отклонение
Полоса пропускания: 0 МГц-50 МГц;
Время нарастания ПХ: не более 9нс;
Коэффициент отклонения: 0,01В/дел., 2В/дел., 5В/дел., 10В/дел.

Предназначен для определения диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых структурах. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения электропроводности полупроводниковых материалов путем определения удельного сопротивления и знака свободных носителей заряда в образце полупроводника

Имеется возможность перемещать зонд по поверхности с точностью до 0,1 мм;
Для нагревания одной стороны образца используется температура 50 – 70 ⁰С, чтобы произвести определение типа проводимости полупроводниковой структуры методом термозонда;
Падение напряжения на эталонном сопротивлении определяется с помощью потенциометра ППТВ.

Предназначен для определения удельного сопротивления полупроводников компенсационным методом. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик диода Шоттки

Диапазоны измерения универсального вольтметра B7-20:
- напряжение постоянного тока 1×10^-6-10³ В;
- сила постоянного тока 1×10^-11 -10 А;
- напряжение переменного тока 1×10^-5 -10³ В;
- сила переменного тока 1×10^-6 -1 А;
Сопротивление нагрузочного резистора: 400 Ом;
В качестве источника напряжения используется универсальный источник питания АКТАКОМ APS-2236.

Предназначен для анализа механизмов переноса носителей заряда через контакт, исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) диода Шоттки при прямом и обратном смещениях. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».